allofcar 2007-12-5 00:24
凌力尔特发布高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达5A电流和提供高达2.4A电流，非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联MOSFET。当驱动3000pF负载时，12ns快速上升时间以及高端MOSFET的8ns下降时间和低端MOSFET的5ns下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端MOSFET同时导通，从而最大限度地减少了死区时间。
LTC4442/-1具有一个用于电源级关断的三态PWM输入，它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外，该器件有一个单独的电源，用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配，并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2V 至 9.5V 的范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，并在电源电压高达 38V 时工作。LTC4442-1 版本有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁，而不是 3.2V，用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。
LTC4442/-1采用耐热增强型MSOP-8封装，在-40℃至85℃的温度范围内工作，以1,000 片为单位批量购买，每片价格为1.25美元。
性能概要：LTC4442/-1
·同步N沟道MOSFET驱动器
·高驱动电流：提供2.4A，吸收5A
·自适应零贯通保护
·高端MOSFET栅极：驱动 3000pF 负载时，上升时间为 12ns，下降时间为 8ns
·低端MOSFET栅极：驱动 3000pF 负载时，上升时间为 12ns，下降时间为 5ns
·3态PWM输入用于功率级关断
·38V最大电源电压
·6.2V至9.5V栅极驱动电压
·LTC4442的UVLO为3.2V
·LTC4442-1的UVLO为6.2V
